2024年9月11日讯，
英飞凌
科技
股份
公司
（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）当天发表，已成功开收回环球首项300 mm
氮化镓
（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是环球首家在现有且可扩展的大规模消费环境中把握这一打破性技术的企业。这项打破将极大地推进GaN功率半导体市场的开展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆
芯片
消费不只在技术上更先进，也由于晶圆直径的扩展，每片晶圆上的芯片数量参与了 2.3 倍，效率也清楚提高。
300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
基于GaN的功率半导体正在
工业
、汽车、消费、计算和
通讯
运行中极速遍及，包含系统
电源
、太阳能
逆变器
、充电器和适配器以及
电机控制
系统等。先进的GaN制作工艺能够提高器件性能，为终端客户的运行带来诸多好处，包含更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总老本。此外，仰仗可扩展性，300 mm制作工艺在客户供应方面具备极高的稳固性。
英飞凌科技首席口头官Jochen Hanebeck示意：“这项严重成功是英飞凌的翻新实力和环球团队努力上班的结果，进一步展现了咱们在GaN和功率系统畛域翻新指导者的位置。这一技术打破将推启动业改革，使咱们能够充沛开掘GaN的后劲。在收买GaN Systems近一年后，咱们再次展现了在极速增长的GaN市场成为指导者的信心。作为功率系统畛域的指导者，英飞凌把握了所有三种相关资料，即：硅、碳化硅和氮化镓。”
英飞凌科技首席口头官Jochen Hanebeck
英飞凌已在其位于奥天时菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，应用现有300 mm硅消费设备的整合试产线，成功地消费出300 mm GaN晶圆。英飞凌正经过现有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟产能施展其优势，同时还将依据市场需求进一步扩展GaN产能。仰仗300 mm GaN制程技术，英飞凌将推进GaN市场的不时增长。据预计，到2030年末，GaN市场规模将到达数十亿美元。
英飞凌位于奥天时菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂
这一开创性的技术成就彰显了英飞凌在环球功率系统和
物联网
半导体
畛域的指导者位置。英飞凌正经过规划300 mm GaN技术，打造更具老本效益价值、能够满足客户系统全方位需求的
产品
，以增强现有处置方案并使新的处置方案和运行畛域成为或许。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑
电子
展（electrona ）上向群众展现首批300 mm GaN晶圆。
由于GaN和硅的制作工艺十分相似，因此300 mm GaN技术的一大优势是可以应用现有的 300 mm硅制作设备。英飞凌现有的大量量300 mm硅消费线十分适宜试产牢靠的GaN技术，既放慢了成功的速度，又能够有效应用资本。300 mm GaN的全规模化消费将有助于成功GaN与硅的老本在同一RDS(on) 级别能够凑近，这象征着同级的硅和GaN产品的老本将能够持平。
300 mm GaN是英飞凌策略翻新指导位置的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化使命的达成。
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